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第一九六章 浸没式光刻技术(2 / 2)

质,气隙技术,针对32nm节点的半导体制程节点发展蓝图中,必须采用超低k电介质来降低相邻金属线之间的寄生电容,特别是互连层上。”

“而气隙技术,可以在32nm芯片的金属线间制造完全的真空状态,以减少互连层百分之三十到四十的寄生电容,具体的数字还要以后继续实验才能得出来。”

当气隙技术四个字刚从刘言最里面说出来的时候,乐远就是一愣,这个名称他有印象,只不过是上一世听过的。

这是ibm公司在08年09年那两年开发出的一种技术,现在这个时间段他们还没有开发出来。

等到后面刘言说这种技术可...-->>

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